南京高稳定场效应管厂商

现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外，在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠较大程度上提高，故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，所以在应用上，它的驱动电路比晶体三极管复杂。所有的FET都有栅极（gate）、漏极（drain）、源极（source）三个端，分别大致对应双极性晶体管的基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。在开关电路中，场效应管可以实现快速的开关操作，普遍应用于数字电路和电源控制中。南京高稳定场效应管厂商

以上讨论的是MOSFET ON状态时电阻的选择，在MOSFET OFF状态时为了保证栅极电荷快速泻放，此时阻值要尽量小。通常为了保证快速泻放，在Rg上可以并联一个二极管。当泻放电阻过小，由于走线电感的原因也会引起谐振(因此有些应用中也会在这个二极管上串一个小电阻)，但是由于二极管的反向电流不导通,此时Rg又参与反向谐振回路,因此可以抑制反向谐振的尖峰。估算导通损耗、输出的要求和结区温度的时候，就可以参考前文所指出的方法。MOSFET的应用领域非常普遍，远非一两篇文章可以概括。中山半导体场效应管生产厂家在使用场效应管时，需要注意正确连接其源极、栅极和漏极，以确保其正常工作。

结型场效应管（JFET）：1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。

MOS管参数：功率MOSFET的一定较大额定值：注①：漏源较大电压VDSS，可视为反向施加在体二极管两端的电压值，故只有一个方向。注②：栅源较大电压VGSS，即施加在栅极电极与源极电极之间的电压，由于栅极与P型半导体衬底中加了SiO2绝缘层，只要电压一定值超过绝缘层耐压均会击穿，故有两个方向“±”。注③：漏级较大电流ID与体二极管流过的反向漏级较大电流IDR（或称为IS）一般规格书中数值一致，均为流过N型半导体与P型半导体衬底形成的PN结的较大电流。注④：ID（pulse）需要看施加电流的脉冲宽度，脉宽不一致的不能沿用规格书数据。注⑤：雪崩电流IAP同样需要关注脉冲宽度。场效应管可通过控制栅极电压来调节输出电流，具有较好的线性特性。

场效应管与双极性晶体管的比较：1.场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。2.场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。3.场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。4.场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。场效应管也可以用作开关，可以控制电路的通断。中山半导体场效应管生产厂家

场效应管虽然体积小，但在现代电子技术中的作用不可忽视。南京高稳定场效应管厂商

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名，场效应管[2]是常见的电子元件，属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（结型场效应管），1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管，从而大部分代替了JFET，对电子行业的发展有着深远的意义。南京高稳定场效应管厂商