WS4508E是一款针对单节锂离子电池的完整恒流/恒压线性充电器。其内部采用MOSFET架构,无需外部感测电阻和阻断二极管。热反馈机制可以调节充电电流,以在高功率操作或高环境温度下限制芯片温度。充电电压固定为4.2V,而充电电流可以通过一个外部电阻进行编程。
特性:
· 可编程充电电流高达600mA
· 过温保护
· 欠压锁定保护
· 自动再充电阈值典型值为4.05V
· 充电状态输出引脚
· 2.9V涓流充电阈值
· 软启动限制浪涌电流
应用:
· 无线电话
· MP3/MP4播放器
· 蓝牙设备
WS4508E是一款锂离子电池充电器,适用于便携式电子产品。其内置MOSFET简化了电路设计,降低了成本。其热反馈机制确保了在各种环境下的安全充电。充电电压固定为4.2V,电流可编程,至高600mA,适应不同电池和充电需求。充电结束和电源移除时,自动进入低电流和关机模式,降低功耗。采用SOT-23-5L封装,符合无铅标准,适用于各种电子设备。提供可靠、高效的充电解决方案。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 WL2836D18-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:XDFN-4-EP(1x1)。代理分销商WILLSEMI韦尔WL2817DA
WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于极小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。
其主要特性包括:
· 沟槽技术
· 超高密度的单元设计
· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流
· 小型SOT-23-3L封装
应用领域包括:
· 笔记本电脑的电源管理
· 便携式设备
· 电池供电系统
· DC/DC转换器
· 负载开关
WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD56181W04SS24 肖特基二极管 封装:SMA(DO-214AC)。
WS72551和WS72552系列放大器具有极低的偏移、漂移和偏置电流。其中,WS72551是单放大器,WS72552是双放大器,分别具有轨到轨的输入和输出摆动。所有放大器都保证在2.5V至5V的单电源下工作。72551/72552提供了之前只在昂贵的自动调零或斩波稳定放大器中才能找到的优势。这些新型零漂移放大器结合了低成本和高精度,并且不需要外部电容器。规格72551/72552适用于扩展的工业/汽车温度范围(-40°C至+125°C)。封装72551:MSOP-8 SOIC8和SOT23-5L。72552:MSOP-8 SOIC8。
技术特性:偏移电压只有3μV,漂移为0.008μV/°C,使WS72551/WS72552非常适合于无法容忍误差源的应用。温度、位置和压力传感器、医疗设备和应变计放大器在其工作温度范围内几乎无漂移,因此受益匪浅。WS72551/WS72552提供的轨到轨输入和输出摆动使得高侧和低侧感测都变得容易。
应用领域:
温度传感器
压力传感器
精密电流感测
应变计放大器
医疗仪器
热电偶放大器
WS72551/WS72552系列零漂移放大器具备极低偏移和漂移、高精度以及轨到轨输入输出摆动等特性,适用于温度、压力、电流感测等多种应用,为工程师提供高精度测量解决方案。紧凑封装使其成为空间受限应用的理想选择。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。
WL2803E:极低压差、500mA、CMOSLDO(低压差线性稳压器
产品描述
WL2803E系列是一款具有极低压差、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。由于采用CMOS结构,WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA,使其成为需要高输出电流的消费者和网络应用的理想选择。
WL2803E系列提供从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本,步长为0.1V。WL2803E系列还提供了过热保护(OTP)和限流功能,以确保在错误条件下芯片和电源系统的稳定性,并使用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。
封装与环保信息:WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装,并符合无铅和无卤素环保要求。
产品特性
输入电压:2.5V~5.5V
输出电压:1.2V~3.3V
输出电流:500mA
PSRR:65dB@1KHz
压差电压:130mV@IOUT=0.5A
输出噪声:100uV
静态电流:150μA(典型值)
应用领域
LCD电视
机顶盒(STB)
计算机和图形卡
网络通信设备
其他便携式电子设备
WL2803E是一款高性能LDO,压差低、PSRR高、静态电流低。适用于消费电子产品和网络应用,输出电压准确稳定。具备过热保护和限流功能,增强可靠性。您如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS7916DE-6/TR 射频低噪声放大器 封装:DFN-6(1x1.5)。
WNM2021:单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET
产品描述
WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器电路
· 便携式设备的负载/电源切换
WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外,WNM2021作为无铅产品,符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5411N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56181W04
WL2803E25-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。代理分销商WILLSEMI韦尔WL2817DA
ESD73011N:单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器
ESD73011N是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。ESD73011N包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73011N采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。
其主要特性包括:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.40pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=9.5V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域包括:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD73011N为需要高速数据传输和严格ESD防护的应用提供了出色的保护。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系制造商。 代理分销商WILLSEMI韦尔WL2817DA