WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。它采用先进的沟槽技术和设计,具有出色的RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色,尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。
WPM2015xx的主要特点包括:
1:稳定的走电电压和出色的导电电阻,这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。
2:适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用,这些应用需要精确控制电流和电压。
3:采用无铅、无卤的环保封装,符合现代电子产品的环保要求。
4:具有超高密度电池设计,适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。
5:极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。
在实际应用中,WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压,WPM2015xx可以实现对电流的精确调节,从而实现对电机等设备的控制。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。 WL2803K33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-89-5。中文资料WILLSEMI韦尔WNM6001A
WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于极小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。
其主要特性包括:
· 沟槽技术
· 超高密度的单元设计
· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流
· 小型SOT-23-3L封装
应用领域包括:
· 笔记本电脑的电源管理
· 便携式设备
· 电池供电系统
· DC/DC转换器
· 负载开关
WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WS742133WS7802DE-6/TR 模拟开关/多路复用器 封装:DFN-6L(1.1x0.7)。
WAS3157B是一款高性能的单刀双掷(SPDT)CMOS模拟开关,专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻(典型值为5.5Ω)。此外,其SEL引脚具有过压保护功能,允许引脚上的电压超过VCC,至高可达7.0V,而不会损坏部件或影响其操作,无论工作电压如何。WAS3157B还配备了智能电路,以至小化VCC泄漏电流,即使在SEL控制电压低于VCC电源电压时也是如此。简而言之,在实际应用中,无需额外的设备来使SEL电平与VCC电平保持一致。WAS3157B采用标准的SOT-363(SC-70-6L)封装,标准产品为无铅和无卤素。
特性:
· 电源电压:1.5~5.5V
· 导通电阻:在VCC=4.5V时为5.5Ω-3dB
· 带宽:在CL=5pF时为400MHz
· 断开隔离度:在10MHz时为-69dB
· 低静态电流:<1uA
· 先断后合功能ESD保护:HBM为±8000V,MM为±600V
应用领域:
· 手机
· MID(移动互联网设备)
· 其他便携式设备
WAS3157B是一款功能强大且易于集成的模拟开关解决方案,适用于需要高效、可靠的切换功能的各种便携式设备。其优异的性能和多种保护功能使其成为现代电子设备中的理想选择。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。
WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比(PSRR)、低压降的CMOS线性稳压器,具有出色的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。所有标准产品均不含铅和卤素,符合环保要求。
特点与优势:
· 输出电流折返
· 宽输入电压范围:2V至5.5V
· 可调输出电压:0.8V至5V
· 输出电流:300mA
· 低功耗:静态电流典型值为75μA,关机电流小于1μA
· 低压降:在输出电流为0.3A时,压降为141mV。
· 电源抑制比:在1kHz、输出电压为3V时,PSRR高达70dB
· 低输出电压噪声:典型值为12μVRMS
· 输出电压容差:±2%
· 推荐电容器:建议使用1μF的电容器以优化性能
· 封装与环保:SOT-23-5L
应用领域:
· MP3/MP4播放器
· 手机、无线电话、数码相机
· 蓝牙、无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2811EA系列以其出色的性能、灵活的输出电压调整、高效的电流管理以及环保的封装特性,成为便携式电子设备的理想电源解决方案。无论是音频播放、通信还是无线连接,它都能为设备提供稳定、高效的电源支持。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2803E33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。
WL2801E是一款优异的低噪声、高PSRR(电源抑制比)以及高速CMOSLDO(低压差线性稳压器)。其高精度与出色的性能,使其在手机、笔记本电脑以及其他便携式设备中表现出色,为用户提供了前所未有的性价比体验。这款设备不仅具有出色的限流折回电路,能够同时作为短路保护和输出电流限制器,而且采用标准的SOT-23-5L封装,确保产品的环保性和安全性。
WL2801E的主要特性包括宽输入电压范围(2.7V~5.5V)、灵活的输出电压范围(1.2V~3.3V)、以及高达300mA的输出电流能力。其高达75dB的PSRR在217Hz下表现出色,确保了电源噪声的有效抑制。此外,其低dropout电压(170mV@IOUT=200mA)和极低静态电流(70μA)使得它在低功耗应用中表现突出。
这款产品的应用领域较广,包括MP3/MP4播放器、手机、无线电话、数码相机、蓝牙和无线手持设备以及其他便携式电子设备。无论是对于追求高性能的设计师,还是对于寻求成本效益的生产商,WL2801E都是理想的选择。
安美斯科技专注于国产电子元器件的代理分销,并可以提供样品。这体现了我们对产品质量的自信和对客户需求的深入理解。选择安美斯科技,您将获得优异的产品和服务。 WS7916DE-6/TR 射频低噪声放大器 封装:DFN-6(1x1.5)。中文资料WILLSEMI韦尔WS72631
ESD5451Z-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN0603-2L。中文资料WILLSEMI韦尔WNM6001A
WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。
WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管,专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻(RDS(ON)),从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时,低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号,进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器,其中高效率的电源开关是至关重要的。
此外,它还可以用于各种充电电路,如电池充电器和太阳能充电器,以确保能量的有效转换和利用。作为一款标准产品,WNM2020不仅具有出色的电性能,还符合环保要求,不含有铅和卤素等有害物质。这使得它在各种环保法规日益严格的市场中具有广的适用性。总之,WNM2020是一款高性能、高效率且环保的N沟道增强型MOS场效应晶体管,非常适合用于各种电源管理和充电应用。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM6001A