ESD5311N：单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。
ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。其内部包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。
其主要特性包括：截止电压：5V，根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电），根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs），低电容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏电流：IR < 1nA（典型值），低箝位电压：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固态硅技。
应用领域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便携式电子设备，笔记本电脑。
ESD5311N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，适用于高数据传输和严格ESD防护应用。如有进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 ESD5451Z-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN0603-2L。中文资料WILLSEMI韦尔WL2815D
WL2801E系列是一款高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器，具有优异的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了经济高效的新一代性能。其电流限制器的折回电路不止作为短路保护，还在输出引脚处作为输出电流限制器。
产品特点：
· 输入电压范围：2.7V至5.5V
· 输出电压范围：1.2V至3.3V
· 输出电流：在输出电压小于2V时，典型值为200mA；在输出电压大于2V时，典型值为300mA。
· 电源抑制比（PSRR）：在217Hz时达到75dB
· 压差电压：在输出电流为200mA时，压差为170mV
· 静态电流：典型值为70μA
· 关断电流：小于0.1μA
· 推荐电容器：1uF
应用领域：
· MP3/MP4播放器
· 手机和无线电话
· 数码相机
· 蓝牙和无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2801E系列以其高精度、低噪声和高效能的特点，为现代便携式设备提供了理想的电源管理解决方案。无论是手机、笔记本电脑还是MP3播放器，它都能确保设备在长时间使用中保持出色的性能和稳定的电力供应。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WMM7037ABEN0-6/TRWL2836D33-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：UDFN-4-EP(1x1)。
WS72551和WS72552系列放大器具有极低的偏移、漂移和偏置电流。其中，WS72551是单放大器，WS72552是双放大器，分别具有轨到轨的输入和输出摆动。所有放大器都保证在2.5V至5V的单电源下工作。72551/72552提供了之前只在昂贵的自动调零或斩波稳定放大器中才能找到的优势。这些新型零漂移放大器结合了低成本和高精度，并且不需要外部电容器。规格72551/72552适用于扩展的工业/汽车温度范围（-40°C至+125°C）。封装72551：MSOP-8 SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8 SOIC8。
技术特性：偏移电压只有3μV，漂移为0.008μV/°C，使WS72551/WS72552非常适合于无法容忍误差源的应用。温度、位置和压力传感器、医疗设备和应变计放大器在其工作温度范围内几乎无漂移，因此受益匪浅。WS72551/WS72552提供的轨到轨输入和输出摆动使得高侧和低侧感测都变得容易。
应用领域：
温度传感器
压力传感器
精密电流感测
应变计放大器
医疗仪器
热电偶放大器
WS72551/WS72552系列零漂移放大器具备极低偏移和漂移、高精度以及轨到轨输入输出摆动等特性，适用于温度、压力、电流感测等多种应用，为工程师提供高精度测量解决方案。紧凑封装使其成为空间受限应用的理想选择。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。
ESD5341N：单线、单向、低电容瞬态电压抑制器
ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。
其主要特性包括：
· 截止电压：5V
· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）
· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）
· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs）
· 低电容：CJ=1.0pF（典型值）
· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用领域包括：
· USB接口
· HDMI接口
· DVI
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系制造商。 ESD9B5VDA-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOD-923。
ESD5301N：低电容单线单向瞬态电压抑制器
产品描述：
ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过度应力影响。
包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。
采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性：
1、截止电压：5V
2、根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）
3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）
5、低电容：CJ=0.4pFtyp.
6、低漏电流：IR<1nAtyp.
7、低钳位电压：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固态硅技术
应用领域：
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便携式电子产品和笔记本电脑
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持，请随时联系我们。 WS72042M-8/TR 运算放大器 封装：MSOP-8。中文资料WILLSEMI韦尔WMM7037ABEN0-6/TR
WS72358M-8/TR 运算放大器 封装：MSOP-8。中文资料WILLSEMI韦尔WL2815D
ESD9X5VL是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供极高水平的保护。它被设计用于替代消费设备中的多层变阻器（MLV），适用于手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等设备。ESD9X5VL结合了一对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受8/20μs脉冲的峰值电流高达4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封装，标准产品为无铅、无卤素。
特性：
· 截止电压：5V
· 根据IEC61000-4-2（ESD）为每条线路提供瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）
· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）
· 极低电容：CJ=1.2pF（典型值）
· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD9X5VL是保护高速数据接口免受静电放电损害的瞬态电压抑制器。响应迅速，避免噪声和干扰，高可靠且适用于便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WL2815D