WSB5546N-肖特基势垒二极管
特性：
· 低反向电流
· 0.2A平均整流正向电流
· 无铅和无卤素：WSB5546N是一款环保产品，不含铅和卤素。
· 快速开关和低正向电压降
· 反向阻断
应用：
· 电源管理
· 信号处理
· 电子设备保护
总之，WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管，具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型，它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降，而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此，WSB5546N结合了这些特点，提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD56201D10-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1610-2。代理分销商WILLSEMI韦尔SPD82581B
ESD5301N：低电容单线单向瞬态电压抑制器
产品描述：
ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过度应力影响。
包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。
采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性：
1、截止电压：5V
2、根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）
3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）
5、低电容：CJ=0.4pFtyp.
6、低漏电流：IR<1nAtyp.
7、低钳位电压：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固态硅技术
应用领域：
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便携式电子产品和笔记本电脑
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持，请随时联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM3046ESD5411N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。
ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述：
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
截止电压：±3.3VMax
根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）
根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）
根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）
极低电容：CJ=0.2pFtyp
低漏电流
低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域
USB3.0和USB3.1
HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害，适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备，紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。
WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比（PSRR）、低压降的CMOS线性稳压器，具有出色的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。所有标准产品均不含铅和卤素，符合环保要求。
特点与优势：
· 输出电流折返
· 宽输入电压范围：2V至5.5V
· 可调输出电压：0.8V至5V
· 输出电流：300mA
· 低功耗：静态电流典型值为75μA，关机电流小于1μA
· 低压降：在输出电流为0.3A时，压降为141mV。
· 电源抑制比：在1kHz、输出电压为3V时，PSRR高达70dB
· 低输出电压噪声：典型值为12μVRMS
· 输出电压容差：±2%
· 推荐电容器：建议使用1μF的电容器以优化性能
· 封装与环保：SOT-23-5L
应用领域：
· MP3/MP4播放器
· 手机、无线电话、数码相机
· 蓝牙、无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2811EA系列以其出色的性能、灵活的输出电压调整、高效的电流管理以及环保的封装特性，成为便携式电子设备的理想电源解决方案。无论是音频播放、通信还是无线连接，它都能为设备提供稳定、高效的电源支持。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS74199B-6/TR 电流感应放大器 封装：SOT-363。
WNM2016A：N沟道增强型MOSFET场效应晶体管
产品描述：
WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。
产品特性：
· 沟槽技术
· 超高密度单元
· 设计出色的ON电阻
· 极低的阈值电压
应用领域：
· DC/DC转换器
· 电源转换器
· 电路便携式设备的负载/电源开关
WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET，专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能，包括低RDS(ON)和低栅极电荷，从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外，极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择，因为它既能够提供强大的性能，又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路，还是便携式设备的负载/电源开关，WNM2016A都是一个出色的选择，能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD9B5VDA-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOD-923。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5431Z
WS72412S-8/TR 运算放大器 封装：SOIC-8。代理分销商WILLSEMI韦尔SPD82581B
WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。
主要特性：
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 适用于高直流电流的优异导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域：
· 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动
· DC-DC转换器电路
· 电源开关
· 负载开关
· 充电电路
WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性能、高效能的半导体器件，专为现代电子设备中的电源管理和开关应用而设计。其采用先进的沟槽技术和电荷控制设计，确保了出色的RDS(ON)和低栅极电荷，从而提供了高效的电流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度单元设计使其在高直流电流下仍能保持优异的导通电阻，确保了高效的能量转换和散热。同时，极低的阈值电压保证了快速的开关响应和稳定的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔SPD82581B