WAS7227Q是一款高性能、双刀双掷(DPDT)CMOS模拟开关,可在+2.5V至+5.5V的单一电源供电下工作。它专为在手持设备和消费电子产品中切换高速USB2.0信号而设计,如手机、数码相机和带有集线器或有限USBI/O控制器的笔记本电脑。WAS7227Q具有低比特间偏斜和高通道间噪声隔离,并与各种标准兼容,如高速USB2.0(480Mbps)。每个开关都是双向的,对高速信号的输出衰减很小。其带宽足以传递高速USB2.0差分信号(480Mbps)并保持信号完整性。
特性:
D+/D-上的特殊电路设计,使设备能够承受VBUS短路到D+或D-,无论USB设备是关闭还是开启。
SEL/OE引脚具有过压保护,允许电压高于VCC,高达7.0V存在于引脚上,而不会损坏或中断部件的操作,无论工作电压如何。
还具有智能电路,用于至小化VCC泄漏电流,即使SEL/OE控制电压低于VCC电源电压也是如此。换句话说,在实际应用中,无需额外设备将SEL/OE电平与VCC电平相同。
应用:
· 手机
· MID(移动设备)
· 路由器
· 其他电子设备
WAS7227Q是专为高速USB2.0设计的稳定、高效CMOS开关,适用于手持和消费电子产品,确保数据传输顺畅。独特电路和过压保护增强其可靠性,环保封装易集成。是高速数据传输的理想选择。详情请查数据手册或联系我们。 SS24 肖特基二极管 封装:SMA(DO-214AC)。代理分销商WILLSEMI韦尔WNM3400
ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器(TVS),专为可能遭受静电放电(ESD)的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器(MLV),并广泛应用于消费设备,如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。
特性:
· 极低电容:CJ=0.5pFtyp
· 极低漏电流:IR<1nAtyp
· 低箝位电压:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
· 根据IEC61000-4-2标准,每条线提供±20kV(接触和空气放电)的瞬态保护
· 根据IEC61000-4-4标准,提供40A(5/50ns)的EFT保护
· 根据IEC61000-4-5标准,可承受4A(8/20μs)的浪涌电流
应用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护,使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比,ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流,以及更低的箝位电压,从而提供了更好的性能。此外,其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口,ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔HWS74285ESD73011N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006。
ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性:
· 截止电压:±3.3VMax
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±10kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.2pFtyp
· 低漏电流低箝位电压:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域:
· USB3.0和USB3.1
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。
WL2836E:低噪声、高PSRR、高速CMOSLDO
产品描述:
WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高PSRR(电源抑制比)、低压降CMOS线性稳压器,具有出色的抗纹波能力。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有随输出电压变化的折返至高输出电流,因此电流限制功能既作为短路保护,又作为输出电流限制器。WL2836E稳压器采用标准的SOT-23-5L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 输入电压范围:1.4V~5.5V
· 输出电压范围:0.8V~3.3V
· 输出电流:300mA
· 静态电流:50μATyp
· 关机电流:<1μA
· 压降电压:140mV@IOUT=0.3A
· PSRR:78dB@1kHz,VOUT=1.8V
· 低输出电压噪声:20μVRMSTyp
· 输出电压容差:±2%@VOUT>2V
· 推荐电容器:1μF
· 热过载和短路保护
应用领域
· MP3/MP4播放器
· 手机、无线电话、数码相机
· 蓝牙、无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2836E是高性能CMOS线性稳压器,专为低噪声、高PSRR和高速性能的便携式电子设备设计。宽输入电压范围和可调输出电压使其应用灵活。内置折返至高输出电流和电流限制功能,提供额外保护。紧凑SOT-23-5L封装,无铅无卤素,满足环保要求。详情查阅数据手册或联系我们。 WAS4642Q-24/TR 模拟开关/多路复用器 封装:QFN2534-24L。
BL1551B是一款模拟开关,具体地说:它是一个单通道、高带宽的单刀双掷(SPDT)模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。
以下是BL1551B的主要特性和优势:
高带宽:BL1551B具有高达350MHz的带宽,这使得它能够处理高速信号切换,满足许多高速应用的需求。
低导通电阻:在5V工作电压下,其导通电阻为2.7Ω,这有助于减少信号在开关过程中的损失,保证信号的完整性。
高效的隔离度:在1MHz的频率下,BL1551B的隔离度达到-84dB,这意味着在开关处于关闭状态时,信号泄漏非常小,从而确保了良好的信号隔离效果。
宽工作电压范围:BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V,这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作,为设计者提供了更大的灵活性。
此外,BL1551B的封装类型为SC-70-6,这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中,BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关,并提供样品供您测试,如需更多信息或支持,请随时联系我们。 ESDA6V1W5-5/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOT-353。规格书WILLSEMI韦尔WSB5523D
WD3168E-6/TR DC-DC电源芯片 封装:SOT-23-6L。代理分销商WILLSEMI韦尔WNM3400
WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比(PSRR)的CMOS低压差线性稳压器(LDO)。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构,WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA,这使得它对于要求高输出电流的消费者、网络应用具有吸引力。WL2803E系列提供了从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本,步长为0.1V。WL2803E系列提供了过热保护(OTP)和电流限制功能,以确保芯片和电源系统在错误条件下的稳定性,并采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装,为标准无铅且无卤素产品。
主要特性:
· 输入电压范围:2.5V至5.5V
· 输出电压范围:1.2V至3.3V
· 输出电流:500mA
· PSRR:在1KHz时为65dB
· 压差电压:在IOUT=0.5A时为130mV
· 输出噪声:100μV
· 静态电流:典型值为150μA
应用领域:
· 液晶电视(LCD TV)
· 机顶盒(STB)
· 计算机、显卡
· 网络通信设备
· 其他便携式电子设备
WL2803E系列适用于电源管理,具有极低压差、低电流和高PSRR特性,确保灵活和准确的电压输出。紧凑环保,易于集成,适用于多种电子设备。提供稳定电源输出。详情查阅手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNM3400