BL1551B是一款模拟开关,具体地说:它是一个单通道、高带宽的单刀双掷(SPDT)模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。
以下是BL1551B的主要特性和优势:
高带宽:BL1551B具有高达350MHz的带宽,这使得它能够处理高速信号切换,满足许多高速应用的需求。
低导通电阻:在5V工作电压下,其导通电阻为2.7Ω,这有助于减少信号在开关过程中的损失,保证信号的完整性。
高效的隔离度:在1MHz的频率下,BL1551B的隔离度达到-84dB,这意味着在开关处于关闭状态时,信号泄漏非常小,从而确保了良好的信号隔离效果。
宽工作电压范围:BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V,这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作,为设计者提供了更大的灵活性。
此外,BL1551B的封装类型为SC-70-6,这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中,BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关,并提供样品供您测试,如需更多信息或支持,请随时联系我们。 ESD5Z3V3-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-523。代理分销商WILLSEMI韦尔WMM7027DBHN0-5/TR
WSB5546N-肖特基势垒二极管
特性:
· 低反向电流
· 0.2A平均整流正向电流
· 无铅和无卤素:WSB5546N是一款环保产品,不含铅和卤素。
· 快速开关和低正向电压降
· 反向阻断
应用:
· 电源管理
· 信号处理
· 电子设备保护
总之,WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管,具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型,它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降,而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此,WSB5546N结合了这些特点,提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD5311ZWD1502F-6/TR DC-DC电源芯片 封装:TSOT-23-6L。
WS3222是一款具有可调OVLO(过压锁定)阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时,该设备将关闭内部MOSFET,断开输入到输出的连接,以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时,WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整,OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度,以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。
特点:
· 输入电压:29V
· 导通电阻:45mΩ(典型值)
· 超快OVP响应时间:450ns(典型值)
· 可调OVLO
· 阈值电压:4V~15V
应用:
· 手机和平板电脑
· 便携式媒体播放器
· STB、OTT(机顶盒、互联网电视)
· 汽车DVR、汽车媒体系统外设
WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值,为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用,符合环保标准。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。
ESD5431N是一款双向瞬态电压抑制器(TVS),专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性:DFN1006-2L封装:紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素:符合环保要求,适用于对无铅和无卤素有需求的场合。
特性:
· 截止电压:±3.3V
· 根据IEC61000-4-2标准,提供±30kV(接触放电)的ESD保护
· 根据IEC61000-4-4标准,提供40A(5/50ns)的EFT保护
· 根据IEC61000-4-5标准,提供10A(8/20μs)的浪涌保护
· 电容:典型值为17.5pF
· 低泄漏电流:典型值为1nA
· 低钳位电压:在脉冲电流为16A(TLP)时,典型值为8V。
· 固态硅技术
应用:
· 手机
· 计算机和外设:为计算机主板、显示器、键盘等
· 微处理器
· 电源线
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5431N是专为保护电子元件免受静电、电气瞬变等过应力而设计的高性能双向瞬态电压抑制器。其瞬态保护出色,封装紧凑,环保特性强,广泛应用于手机、计算机和便携式设备,确保设备稳定运行和数据安全。如需详细信息,请查阅数据手册或联系我们。 WAS4768Q-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装:QFN-10(1.8x1.4)。
ESD9B5VL:单线双向瞬态电压抑制器
产品描述
ESD9B5VL是一个双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件,免受由静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD9B5VL可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并可根据IEC61000-4-5标准承受高达3A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP-02C封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 反向截止电压:±5VMax
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路
· 瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:20A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:3A(8/20μs)
· 电容:CJ=5.0pFtyp
· 低泄漏电流:IR<1nAtyp
· 低箝位电压:VCL=13Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域
· 手机
· 平板电脑
· 笔记本电脑
· 其他便携式设备
· 网络通信设备
ESD9B5VL是高效的瞬态电压抑制器,保护电子设备免受静电放电等瞬态事件影响。适用于手机、平板等便携式设备,保护敏感电子组件。高保护能力、低泄漏和低箝位电压,稳定可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 ESD56201D04-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1610-2。中文资料WILLSEMI韦尔ESD54031Z
WL2801E12-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。代理分销商WILLSEMI韦尔WMM7027DBHN0-5/TR
WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器,具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)等特点。在500mA的负载电流下,其压降只有130mV(典型值)。这使得它在需要高输出电流的消费者和网络应用中极具吸引力。
特性:
· 输入电压范围:2.5V至5.5V
· 输出电压范围:1.2V至3.3V,步长为0.1V
· 输出电流:500mAPSRR(电源抑制比):在1KHz时为65dB
· 压降电压:在IOUT=0.5A时为130mV
· 输出噪声:100uV
· 静态电流:典型值为150μA
此外,WL2803E系列还具备热关断(OTP)和电流限制功能,以确保在异常条件下芯片和电源系统的稳定性。同时,采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。
应用:
· LCD电视
· 机顶盒(STB)
· 计算机、图形卡
· 网络通信设备
· 其他便携式电子设备
WL2803E系列CMOSLDO为现代电子设备提供稳定电源,具有极
低压降、低静态电流和高电源抑制比,有效减少电源噪声干扰。宽输出电压范围和微调技术满足各种应用需求,适用于LCD电视、机顶盒和计算机通信设备。紧凑封装和环保设计使其易于集成。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WMM7027DBHN0-5/TR