WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。
特性:
沟槽技术
超高密度单元设计
优异的ON电阻,适用于更高的直流电流
极低的阈值电压
小型SOT-23封装
应用:
继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电应用
WPM1483是一款P沟道功率MOSFET,采用先进沟槽技术,具有低RDS(ON)和低栅极电荷,适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流,极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装,无铅无卤素,环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关,驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。 WNMD2171-4/TR 场效应管(MOSFET) 封装:CSP-4L。代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2171
WD3139:高效38V升压型白色LED驱动器
产品描述
WD3139是一款恒定电流、高效率的LED驱动器。其内部MOSFET可以驱动高达10个串联的白色LED,电流限制为1.2A,过压保护为38V。可以将脉冲宽度调制(PWM)信号应用于EN引脚以实现LED调光。该设备以1MHz的固定开关频率运行,以减少输出纹波、提高转换效率,并允许使用小型外部组件。
封装与环保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封装,标准产品为无铅和无卤素。
产品特性:
输入电压范围:2.7~5.5V
开路LED保护:38V(典型值)
参考电压:200mV(±5%)
开关频率:1MHz(典型值)
效率:高达92%
主开关电流限制:1.2A(典型值)
PWM调光频率:5KHz至200KHzPWM
调光占空比:0.5%~100%
应用领域:
智能手机
平板电脑
便携式游戏机
WD3139是一款专为串联白色LED设计的高效驱动器。提供1.2A电流限制和38V过压保护,确保LED稳定安全。支持PWM调光,1MHz开关频率提升转换效率并减少输出纹波。适用于智能手机、平板等便携设备的LED背光或指示灯。小巧封装且环保,是理想选择。详情请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD73004DESD56151W04-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-323。
WNM6001:单N沟道、60V、0.50A功率MOSFET
产品描述:
WNM6001是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的槽型技术和设计,以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6001为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。
产品特性:
· 槽型技术
· 超高密度单元设计
· 出色的ON电阻,适用于更高的直流电流
· 极低的阈值电压
应用领域:
· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器
· DC-DC转换器
· 电路电源开关
· 负载开关充电
WNM6001是一款采用先进槽型技术的N沟道MOSFET,专为高效能应用而设计。其出色的RDS(ON)和低栅极电荷使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。此外,WNM6001的超高密度单元设计和极低的阈值电压保证了在高直流电流下的高效运行。这款器件的小型SOT-23封装使其成为空间受限应用中的理想选择。无论是驱动继电器、电磁阀还是电机,或是为LED供电,WNM6001都能提供稳定、高效的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。
WS4665是一个单通道负载开关,提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET,可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作,并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入(ON)控制,该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中,增加了一个230Ω的片上负载电阻,用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。
主要特性:
· 集成单通道负载开关
· 输入电压范围:0.8V至5.5V
· 极低导通电阻(RON)RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)
· 连续开关上限电流为6A
· 低控制输入阈值,支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑
· 可配置的上升时间
· 快速输出放电(QOD)
· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM
应用领域:
· 超极本TM
· 笔记本电脑/上网本
· 平板电脑
· 消费电子产品
· 机顶盒/住宅网关
· 电信系统
WS4665适用于多种应用场合,如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格,请查阅相关数据手册或与我们联系。 ESD56131W-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-323F。
ESD5311N:单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。
ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。其内部包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。
其主要特性包括:截止电压:5V,根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电),根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs),低电容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏电流:IR < 1nA(典型值),低箝位电压:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固态硅技。
应用领域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便携式电子设备,笔记本电脑。
ESD5311N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护,适用于高数据传输和严格ESD防护应用。如有进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 WL2836D11-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:DFN1x1-4L。代理分销商WILLSEMI韦尔WS4684C
ESD56151W05-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-323。代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2171
ESDA6V8AV6静电放电(ESD)保护的瞬态电压抑制器
产品描述:
ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器,为可能受到静电放电(ESD)影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态,这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上;对于负瞬态,则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击,超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883(方法3015)中的人体模型(HBM)ESD规格,该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装,工作电压为5伏特。
规格特性:
· 工作峰值反向电压:5V
· 低漏电流:<1uA@3V
· 高ESD保护水平:每HBM>20kV
· IEC61000-4-2四级ESD保护
· IEC61000-4-4四级EFT保护
· 五种单独的单向配置
机械特性:
· 无空洞、转移模制、热固性塑料外壳
· 耐腐蚀表面,易于焊接
应用领域:
· 手机和配件
· 个人数字助理(PDA)
· 笔记本电脑、台式机和服务器
· 便携式仪器
· 数码相机
· 外设MP3播放器
ESDA6V8AV6是五线路ESD保护器,保护电子组件免受静电放电影响。具有强ESD保护和低漏电流,能承受±20kV冲击。符合电磁兼容性标准,适用于手机、笔记本等便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2171