WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，这使得它对于要求高输出电流的消费者、网络应用具有吸引力。WL2803E系列提供了从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本，步长为0.1V。WL2803E系列提供了过热保护（OTP）和电流限制功能，以确保芯片和电源系统在错误条件下的稳定性，并采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装，为标准无铅且无卤素产品。
主要特性：
· 输入电压范围：2.5V至5.5V
· 输出电压范围：1.2V至3.3V
· 输出电流：500mA
· PSRR：在1KHz时为65dB
· 压差电压：在IOUT=0.5A时为130mV
· 输出噪声：100μV
· 静态电流：典型值为150μA
应用领域：
· 液晶电视（LCD TV）
· 机顶盒（STB）
· 计算机、显卡
· 网络通信设备
· 其他便携式电子设备
WL2803E系列适用于电源管理，具有极低压差、低电流和高PSRR特性，确保灵活和准确的电压输出。紧凑环保，易于集成，适用于多种电子设备。提供稳定电源输出。详情查阅手册或联系我们。 WL2801E13-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5L。规格书WILLSEMI韦尔WS4667D
WD1502F：28V,2A降压型（Step-Down）直流/直流（DC/DC）转换器
WD1502F是一款高效率、同步降压型DC-DC转换器。它可以在4.5V至28V的输入电压范围内工作，并提供高达2A的连续输出电流。内部同步功率开关可在不使用外部肖特基二极管的情况下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定开关频率工作，并采用脉冲宽度调制（PWM）。在轻负载电流时，它会进入脉冲跳变调制（PSM）操作，以在整个负载电流范围内保持高效率和低输出纹波。WD1502F具有短路保护、热保护和输入欠压锁定功能。它采用TSOT-23-6L封装，为标准无铅和无卤素产品。
其主要特性包括：
· 宽范围4.5V~28V的工作输入电压
· 典型的650kHz开关频率
· 2A连续输出电流
· 低至2μA的关机电流，60μA的静态电流
· 内部5mS软启动
· 峰值效率>94%
· 150mΩ内部功率HSMOSFET开关
· 75mΩ内部同步LSMOSFET开关
· 逐周期过流保护
应用领域包括：
· 12V、24V分布式电源总线供电
· 工业应用
· 白色家电
· 消费类应用
WD1502F适用于需要高效、紧凑和可靠电源转换的多种应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD5342NWS72042M-8/TR 运算放大器 封装：MSOP-8。
WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器
产品描述：
WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备，WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制（PWM）模式，固定开关频率为1.2MHz，以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下，转换器进入跳过模式，以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以至小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性：
宽输入电压范围：2.7V至5.5V1.25V（±2%）
高精度参考电压1.2MHz开关频率
高达93%的效率
超过1A（至小值）的功率开关电流限制
从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出
内置软启动
应用领域：
智能手机
平板电脑
便携式游戏机
平板电脑（PADs）
WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器，1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景，如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性，是电源管理的理想选择。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。
ESD5451X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD5451X可提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护，并可根据IEC61000-4-5标准承受高达8A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅、无卤素。
特点：
· 反向截止电压：±5V
· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±30kV（接触和空气放电）
· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
· IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8/20μs）
· 电容：CJ=17.5pFtyp
· 低漏电流：IR<1nAtyp
· 低钳位电压：VCL=9Vtyp.@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用：
· 手机
· 平板
· 电脑
· 笔记本电脑
· 其他便携式设备
· 网络通信设备
ESD5451X是高性能瞬态电压抑制器，保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力影响。适用于手机、平板、笔记本等便携式设备，双向保护，应对极端电气环境。低漏电流、低钳位电压，不影响设备正常工作。固态硅技术，稳定可靠。各方面保护现代电子设备，消费者和制造商的理想选择。详情查阅手册或联系我们。 ESD5471S-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOD-523。
WNM6001：单N沟道、60V、0.50A功率MOSFET
产品描述：
WNM6001是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的槽型技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6001为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。
产品特性：
· 槽型技术
· 超高密度单元设计
· 出色的ON电阻，适用于更高的直流电流
· 极低的阈值电压
应用领域：
· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器
· DC-DC转换器
· 电路电源开关
· 负载开关充电
WNM6001是一款采用先进槽型技术的N沟道MOSFET，专为高效能应用而设计。其出色的RDS(ON)和低栅极电荷使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。此外，WNM6001的超高密度单元设计和极低的阈值电压保证了在高直流电流下的高效运行。这款器件的小型SOT-23封装使其成为空间受限应用中的理想选择。无论是驱动继电器、电磁阀还是电机，或是为LED供电，WNM6001都能提供稳定、高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WPM2341-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。规格书WILLSEMI韦尔SPD9711B
WL2817DA33-8/TR 线性稳压器(LDO) 封装：DFN1612-8。规格书WILLSEMI韦尔WS4667D
ESD5301N：低电容单线单向瞬态电压抑制器
产品描述：
ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过度应力影响。
包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。
采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性：
1、截止电压：5V
2、根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）
3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）
5、低电容：CJ=0.4pFtyp.
6、低漏电流：IR<1nAtyp.
7、低钳位电压：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固态硅技术
应用领域：
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便携式电子产品和笔记本电脑
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持，请随时联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WS4667D
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