代理分销商WILLSEMI韦尔WNM02142DR

     WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。

主要特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 适用于高直流电流的优异导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动

· DC-DC转换器电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电电路

    WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性能、高效能的半导体器件，专为现代电子设备中的电源管理和开关应用而设计。其采用先进的沟槽技术和电荷控制设计，确保了出色的RDS(ON)和低栅极电荷，从而提供了高效的电流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度单元设计使其在高直流电流下仍能保持优异的导通电阻，确保了高效的能量转换和散热。同时，极低的阈值电压保证了快速的开关响应和稳定的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5451Z-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN0603-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔WNM02142DR

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬态电压抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受瞬态电压的侵害而设计。在现代电子设备中，由于雷电、静电放电和其他电气瞬态事件，电路中的敏感组件经常面临损坏的风险。而WL2805N33-3/TR的出现，为这些设备提供了可靠的防护。  

      这款抑制器具有出色的瞬态抑制能力和低漏电流特性，能够在瞬态事件发生时迅速响应，将电压限制在安全范围内，从而保护电路中的敏感组件免受损坏。

      此外，WL2805N33-3/TR还具有低钳位电压和低电容值，确保了信号传输的准确性和稳定性。 其紧凑的封装设计使得它非常适合用于各种电子设备中，如通信设备、计算机、医疗设备和消费电子产品等。无论是对于工业应用还是日常消费应用，WL2805N33-3/TR都能提供优异的瞬态电压保护，确保设备的稳定运行和延长使用寿命。 

      安美斯科技作为专业的电子元器件代理分销商，致力于为客户提供优异的产品和服务。我们非常荣幸能为您推荐WL2805N33-3/TR这款瞬态电压抑制器，并愿意提供样品供您测试。如需了解更多信息或支持，请随时联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5441N02ESD73034D-10/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN2510-10。

RB521C30：肖特基势垒二极管

· 重复峰值反向电压 VRM 30 V

· 直流反向电压 VR 30 V

· 平均整流正向电流 IO 100 mA

产品特性：

     100mA平均整流正向电流：RB521C30具有出色的电流处理能力，能够处理高达100mA的平均整流正向电流，使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。

    低正向电压：肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点，这意味着在正向偏置条件下，它需要的电压较低，从而降低了功耗。

   低漏电流：RB521C30的漏电流非常低，这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。

   小型SOD-923封装：这款二极管采用紧凑的SOD-923封装，使其适合在空间受限的应用中使用，如便携式设备和小型电路板。

应用领域：

     RB521C30肖特基势垒二极管特别适合用于低电流整流应用。在电路中，它能够将交流信号转换为直流信号，这对于许多电子设备来说都是至关重要的。由于其低正向电压和低漏电流的特性，它特别适用于需要高效能和低功耗的场合，如电池供电的设备或需要长时间运行的系统。此外，其紧凑的封装形式也使得它成为空间受限应用的理想选择。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

ESD5305F：四通道单向低电容瞬态电压抑制器

      产品描述：ESD5305F是一款专为保护高速数据接口设计的低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受由静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD5305F结合了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管，以提供各方面的瞬态保护。封装与环保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封装，满足无铅和无卤素环保要求。

产品特性：

反向截止电压：5V

根据IEC61000-4-2标准，每条线路提供±30kV（接触放电）的ESD保护

根据IEC61000-4-5标准，可承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流

低电容：CI/O-GND=0.65pF（典型值，Vcc=浮动状态）；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）

极低泄漏电流：IR<1nA（典型值）

低钳位电压：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）

采用固态硅技术

应用领域：

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子产品

笔记本电脑

关于ESD5305F 如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2803E33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5L。

WL2815低功耗CMOSLDO（低压差线性稳压器）

产品描述：

     WL2815系列是一款低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列设计用于使用低成本陶瓷电容器，确保输出电流的稳定性，提高效率，从而延长这些便携式设备的电池寿命。WL2815稳压器采用DFN1x1-4L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

静态电流：1.5μA（典型值）

输入电压：2.1V~5.5V

输出电压：1.1V~3.3V

输出电流：@VOUT=3.3V时为300mA

输出电流：@VOUT=2.0V时为200mA

输出电流：@VOUT=1.5V时为150mA

压差电压：@100mA时为100mV

推荐电容器：1uF或更大

工作温度：-40°C至+85°C

输出短路保护

应用领域：

MP3/MP4播放器

手机

蓝牙耳机

无线鼠标

其他电子设备

    WL2815是专为便携式设备设计的低功耗CMOS稳压器，性能优异，低静态电流，高效能，延长电池寿命。优化设计，使用低成本陶瓷电容器，在多种应用中提供稳定输出。适用于MP3/MP4播放器、手机、蓝牙耳机等。紧凑封装，符合环保标准，是现代电子设备的理想选择。详情查阅数据手册或联系我们。 ESD9N5B-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2。代理分销商WILLSEMI韦尔WS4633C

RB521C30-2/TR 肖特基二极管 封装：SOD-923。代理分销商WILLSEMI韦尔WNM02142DR

ES9DN12BA瞬态电压抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性：

· 截止电压：±12V。

· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护：±30kV（接触放电）

· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护：5.5A（8/20μs）

· 典型电容：CJ=27pF

· 极低泄漏电流：IR=0.1nA

· 低钳位电压：在IPP=16A（TLP）时，VCL=20V。

· 固态硅技术：确保器件性能稳定和长寿命。

应用：

· 计算机及其外设：如键盘、鼠标、显示器等。

· 手机

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器，专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备，ES9DN12BA都能提供强大的保护，确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNM02142DR

深圳安美斯科技有限公司是一家有着雄厚实力背景、信誉可靠、励精图治、展望未来、有梦想有目标，有组织有体系的公司，坚持于带领员工在未来的道路上大放光明，携手共画蓝图，在广东省等地区的电子元器件行业中积累了大批忠诚的客户粉丝源，也收获了良好的用户口碑，为公司的发展奠定的良好的行业基础，也希望未来公司能成为*****，努力为行业领域的发展奉献出自己的一份力量，我们相信精益求精的工作态度和不断的完善创新理念以及自强不息，斗志昂扬的的企业精神将**深圳安美斯科技供应和您一起携手步入辉煌，共创佳绩，一直以来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，员工精诚努力，协同奋取，以品质、服务来赢得市场，我们一直在路上！