日本细胞内膜打孔压电4G

Piezo-ICSI程序:

使用直径100-mm的细胞培养皿上盖,准备操作盘；按照Piezo操作系统的要求，将4μL左右的汞从后部装入注射针中，轻轻将汞推至针尖处，在20-25℃室温下，准备进行显微操作。具体操作前，首先取10枚卵母细胞置于15L含3 % suerose的HEPES-CZB操作滴中备用；然后将2.5μL精子溶液与5pLHEPES-CZB+ 12 % PVP-360操作滴充分混合；再将单个精子从尾部吸入注射针，用Piezo脉冲从颈部断开头和尾；连续剪切5个精子后，将吸入全部精子头的注射针转移到放置卵母细胞的操作滴中，准备将精子头逐个注射至卵母细胞质中。注射时，从时钟9点的方向吸住卵母细胞，使纺锤体保持在6点或12点的位置，从3点的方向轻轻进针，同时用Piezo脉冲击穿透明带，将透明带碎片吹出注射针的同时，将精子头吹至针尖处，继续进针，直至针尖插入卵母细胞深处，几乎贴近对侧质膜时，用Piezo弱脉冲击穿卵母细胞质膜，将精子头吐出，回吸注入卵内多余的操作液，轻轻退针，完成一次注射。依次操作，尽快实现该批卵母细胞的注射，室温放置5min,然后用大量CZB溶液洗涤ICSI胚胎，并且移入CO₂箱培养。依法进行第二批卵母细胞的精子头注射，在注射HCG后17 h,完成全部卵母细胞的精子注射。 压电辅助ICSI于1995年被描述，可用于标准ICSI失败的动物（如小鼠）的辅助受孕。日本细胞内膜打孔压电4G

卵子***是人类胚胎发育的起始步骤，该过程主要由细胞内的钙释放调控，当成熟的卵母细胞发育到MII期后，只有精子的PLCζ进入卵母细胞的胞浆，才能***钙震荡，促使卵母细胞完成完整的减数分裂。TFF(Totalfertilizationfailure，完全受精失败)是指MII期卵母细胞无法完成受精的过程，有1-3%的ICSI失败是源于IFF。TFF与精子及卵子的异常均有关，其中卵子***异常是主要因素。卵子因素主要是由蛋白合成不足或异常信号传导导致的胞质不成熟；精子因素主要是PLCζ蛋白的结构、表达和定位异常。受精失败与女方年龄、不育类型和取卵数目等因素无关。精子的解凝功能异常和鱼精蛋白缺失与TFF密切相关。精子染色质组装异常或精子DNA损伤可导致精子的解凝异常，无法***卵子及合子形成。研究表明精子染色质组装异常的精子中精子解凝功能受阻的精子比例高于正常精子。精细胞染色质的鱼精蛋白的合成与组装对于精细胞的基因组浓缩也是非常重要的。若鱼精蛋白的量减少，精子在ICSI后提前解凝，导致受精失败。当精子进入卵子后精子染色质提前浓缩也导致其提前解凝，精子和卵子遗传物质的同步节奏被打破，也造成受精失败。不过这种同步性异常主要还是卵子因素造成的。细胞内膜打孔压电克隆PRIME TECH PMM 用于小鼠ICSI。

PMM可用于移去卵细胞内的染色体，它可以用平口针迅速的穿透透明带，而无须用尖头针。含有染色体的细胞质会混进洗液管，通过透明带的孔抽取出来。PMM和传统方法相比提高了速度和准确率，也就是说增加了效率。细胞核显微注射Piezo可以轻易破坏核的细胞质膜收集核，利用平口针灸可以一次注射1个或更多的核。针在膜的表面形成一个较深的内陷，piezo就很容易破膜将核注射进去。胚胎干细胞显微注射PMM与传统尖头针相比可促进ES细胞注射入胚泡，甚至可以穿透和部分破坏内细胞群，增加ES细胞的作用。平口针的顶端直径为8-12um，大约可装15个ES细胞，用中、低档能量的脉冲，PMM即可穿透细胞群，用低能量的多次脉冲，针可穿透滋养外胚层（TE)。卵母细胞胞浆内单精子显微注射PMM通过将精子尾部与头部割离，精子头部吸入平口针，在中低档能量下即可穿透透明带，进行单精子显微注射。增加了速度和准确率，PMM为转基因鼠高效率的产品。与传统方法相比，Piezo增加了显微注射的速度和准确率，利用MII转基因的方法很有效的生成转基因鼠。

当您将按钮轻轻一揿，煤气灶迅即燃起蓝色火焰，您可曾意识到是什么带给您的这份便利呢？将一块看起来平淡无奇的陶瓷接上导线和电流表，用手在上面一摁，电流表的指针也跟着发生摆动——竟然产生了电流，岂非咄咄怪事？其实，这是压电陶瓷，一种能够将机械能和电能互相转换的功能陶瓷材料。压电陶瓷到底是一种什么样的材料呢？这是一种具有压电效应的材料。所谓压电效应是指某些介质在力的作用下，产生形变，引起介质表面带电，这是正压电效应。反之，施加激励电场，介质将产生机械变形，称逆压电效应。这种奇妙的效应已经被科学家应用在与人们生活密切相关的许多领域，以实现能量转换、传感、驱动、频率控制等功能。压电陶瓷具有敏感的特性，可以将极其微弱的机械振动转换成电信号，可用于声纳系统、气象探测、遥测环境保护、家用电器等。地震是毁灭性的灾害，而且震源始于地壳深处，以前很难预测，使人类陷入了无计可施的尴尬境地。压电陶瓷在电场作用下产生的形变量很小，**多不超过本身尺寸的千万分之一，别小看这微小的变化，基于这个原理制做的精确控制机构－－压电驱动器，对于精密仪器和机械的控制、微电子技术、生物工程等领域都是一大福音。压电显微操作器PMM利用压电元件产生的驱动力来展示其对各种样品的优异穿孔能力。

把示波器交直流选择开关置于“DC”挡，扫描范围置于“10～100kHz”挡，用X移位和Y移位将水平亮线移到方格坐标的**部，置X轴上。为了能估测压电效应的最高电压幅值，我们必须先用荧光屏前的方格坐标系，定出电压标尺：利用接在示波器Y输入接线柱上的两根导线，把一节干电池的1.5V电压加在示波器上，衰减放在1，Y增益放在比较低，可以发现刚才的水平亮线上跳（或下跳）两格左右，即此时两格**1.5V电压。在Y增益不变的情况下，再将Y衰减放在1000（即千分之一）挡，荧光屏前方格坐标的两格就可以**1500V了。将Y输入接线柱上的两根馈线的鳄鱼夹分别接在压电打火机压电元件的两个电极上，迅速按下其黑色塑料压杆，可以看到原来位于**高度的水平亮线向上（或向下）跳动又恢复原位。由于荧光屏的余晖作用，水平亮线在示波器上显现的是一条高度达四格的亮带，这表明该脉冲的电压幅值在3000V以上。如果想观察这个电压脉冲的波形，可以每次按动压杆的同时，细心调节示波器“扫描微调”旋钮（事先将扫描范围换到“10～100Hz”挡），我们可以在荧光屏上看到如图2所示的波形，其电压上升较陡，降低较平缓，峰值在四格以上。PMM和传统方法相比提高了速度和准确率,也就是说增加了效率。昆明Piezo Micro Manipulator压电克隆

PMM 6 MB-D-2中等力度输出型号，适用于ICSI、ES细胞注射、活检操作等。日本细胞内膜打孔压电4G

压电效应可分为正压电效应和逆压电效应。

正压电压电效应是指：当晶体受到某固定方向外力的作用时,内部就产生电极化现象,同时在某两个表面上产生符号相反的电荷；当外力撤去后，晶体又恢复到不带电的状态；当外力作用方向改变时，电荷的极性也随之改变；晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。压电式传感器大多是利用正压电效应制成的。

逆压电是指对晶体施加交变电场引起晶体机械变形的现象。用逆压电效应制造的变送器可用于电声和超声工程。压电敏感元件的受力变形有厚度变形型、长度变形型、体积变形型、厚度切变型、平面切变型5种基本形式。压电晶体是各向异性的，并非所有晶体都能在这5种状态下产生压电效应。例如石英晶体就没有体积变形压电效应，但具有良好的厚度变形和长度变形压电效应。 日本细胞内膜打孔压电4G