CMOS图像传感器具有以下几个优点：1）、随机窗口读取能力。随机窗口读取操作是CMOS图像传感器在功能上优于CCD的一个方面，也称之为感兴趣区域选取。此外，CMOS图像传感器的高集成特性使其很容易实现同时开多个跟踪窗口的功能。2）、抗辐射能力。总的来说，CMOS图像传感器潜在的抗辐射性能相对于CCD性能有重要增强。3）、系统复杂程度和可靠性。采用CMOS图像传感器可以地简化系统硬件结构。4）、非破坏性数据读出方式。5）、优化的曝光控制。值得注意的是，由于在像元结构中集成了多个功能晶体管的原因，CMOS图像传感器也存在着若干缺点，主要是噪声和填充率两个指标。鉴于CMOS图像传感器相对优越的性能，使得CMOS图像传感器在各个领域得到了的应用。CMOS图像传感器,是一种使用CMOS的固态图像传感器。上海AR0221参数
CMOS数字图像传感器参数值：●光学格式:1/1.7英寸(9.298毫米，对角线)●活动像素:1928(H)x1088(V)，16:9●像素大小:4.2μmx4.2μmBSI●主射线角度:0°(见注)●彩色滤镜阵列:RGB拜耳●快门类型:电子卷帘快门●输入时钟范围:6-50mhz●输出时钟:比较大80mhz●输出接口:4/2车道MIPI/HiSPi●帧率，1080p:60fps，线性模式30帧/秒，3曝光线交错HDR●反应性:58.89克/勒克斯*s●SNRMAX:41.2dB●比较大动态范围:66db，线性模式122db，估计3次曝光LIMHDR●电源电压:I/O:1.8或2.8V数字:1.2V模拟:2.8VMIPI:1.2V●功耗(典型的):300mw,1080p,60fps线性模式，HiSPi284mw,1080p60fps线性模式，MIPI369mW,1080p30fps3曝光LIMHDR,HiSPi365mw,1080p30fps3曝光LIMHDR,MIPI●工作温度-30°C至+85°C(结)●封装:87-iBGA12×9毫米●注意:可容纳镜头CRA高达20°。北京汽车半导体AR0221规格医疗图像传感器可分为CCD， CIS，a-Si FPD，a-Se FPD，SiPM。
在过去的十年里，CMOS图像传感器（CIS）技术取得了令人瞩目的进展，图像传感器的性能也得到了极大的改善。自从在手机中引入相机以来，CIS技术取得了巨大的商业成功。包括科学家和市场营销**在内的许多人，早在15年前就预言，CMOS图像传感器将完全取代CCD成像设备，就像20世纪80年代中期CCD设备取代了视频采集管一样。尽管CMOS在成像领域占有牢固的地位，但它并没有完全取代CCD设备。另一方面，对CMOS技术的驱动极大地提升了整个成像市场。CMOS图像传感器不仅创建了新的产品应用程序，而且还提高了CCD成像设备的性能。
每一个CMOS像素都包括感光二极管、浮动式扩散层、传输电极门、起放大作用的MOSFET、起像素选择开关作用的MOSFET.在CMOS的曝光阶段，感光二极管完成光电转换，产生信号电荷，曝光结束后，传输电极门打开，信号电荷被传送到浮动式扩散层，由起放大作用的MOSFET电极门来拾取，电荷信号转换为电压信号。所以这样的CMOS也就完成了光电转换、电荷电压转换、模拟数字转换的三大作用，通过它我们就能把光信号转化为电信号，较终得到数字信号被计算机读取，这样，我们就已经拥有了记录光线明暗的能力。CMOS图像传感器主要应用于X-Ray以及内窥镜领域。
由于CMOS图像传感器可以比CCD图像传感器转移更多的通用半导体制造设备，因此与CCD图像传感器相比，它们的生产成本基本上更低。因此，它在廉价的数码相机和数码摄像机领域得到了积极的应用，在高价设备中，它在1980年代和1990年代初被日立的摄像机使用。另一方面，大多数所谓的网络摄像机和用于视频聊天等的移动电话摄像机都装有CMOS，并且根据YanoResearchInstitute的一项调查，在移动电话上安装摄像机功能已经变得很普遍。在2004年它是在出货CCD图像传感器拔出。近年来，由于它比CCD消耗的功率少，因此已越来越多地用于数字单镜头反光照相机。自2004年春季以来，佳能已采用CMOS图像传感器，该传感器可为所有数字SLR机型内部开发和制造，而CCD图像传感器则依赖于其他公司生产。此外，尼康和索尼数码单反相机都采用了自己的CMOS。索尼和佳能也在小型高清摄像机中使用CMOS图像传感器供消费者使用。 安森美半导体(ON Semiconductor)推出1/1.7英寸210万像素CMOS图像传感器——AR0221。北京夜视仪芯片AR0221原装现货
安森美半导体能够为汽车驾驶辅助提供业内的图像传感器和图像处理芯片。上海AR0221参数
以下先介绍它们基本的工作原理，再介绍各种象素单元的特点。下图是单个象素的示意图。(1)首先进入“复位状态”,此时打开门管M.电容被充电至V,二极管处于反向状态;(2)然后进入“取样状态”.这时关闭门管M,在光照下二极管产生光电流，使电容上存贮的电荷放电，经过一个固定时间间隔后，电容C上存留的电荷量就与光照成正比例，这时就将一幅图像摄入到了敏感元件阵列之中了;(3)进入“读出状态”.这时再打开门管M,逐个读取各像素中电容C上存贮的电荷电压。上海AR0221参数
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