HigherSensitivityandLowerNoiseFortheimagesensorwithhigherpixelcountssupporting4Kvideoorotherformats,thereducedpixelsizemightcausesensitivitydeterioration,whichiscrucialforsecuritycamerapurpose.TheIMX226CQJhasback-illuminatedstructure1.85umunitpixelandachievesabigdifferenceinitshighsensitivityandlownoisecomparedwiththeexistingfront-illuminatedCMOSimagesensorwhileitkeeps4KandtheimagesizeofType1/2.。IMX226CQJ采用约12.40M有效像素，支持12M(4:3比例)和4K(约17:9比例)。北京安防摄像图像传感器下载文档
传感器是相机重要的部件，目前相机常用的感光芯片有CCD（ChargeCoupledDevice电荷耦合器件）和CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor互补金属氧化半导体）两类。CCD和CMOS图像传感器感光原理类似，基本上都是利用感光二极管（photodiode）进行光与电的转换，将图像转换为数字信息，它们的主要差异在数字信号传送方式的不同。CMOS传感器芯片：在CMOS图像传感器中，每个像素都会连接一个放大器及模数转换电路，用类似内存电路的方式将信号输出。CMOS传感器中在每个像素单元中，除感光部分外，还有放大器和读出电路部分，整个CMOS传感器还集成了寻址电路、放大器和A/D。由于每个像素单元都集成了一个放大器，就会造成很多噪声的形成，进而导致成像质量的下降。深圳CMV4000图像传感器模组除手机领域以外，用于汽车的 CMOS 图像传感器发展十分迅速。
有利入射角特性及f数相关性优化集光特性，比较大限度地提高背照结构的集光效率。因此，它在入射光角度特性(见图1)和f数依赖(见图2)方面比现有的前照结构2.8um单位像素的IMX136LQJ*2获得了更好的条件。这些特性对于在夜间拍摄时经常打开镜头的安防摄像机来说是非常重要的。在较低的f(光圈)数下，IMX136LQJ的低光性能可能比2.8um单位像素的前置照明结构更好。(见照片3)。此外，这种量级的光学特性意味着传感器可以处理高功率变焦镜头。
CMOS传感器的技术发展跟随摩尔定律快速发展，尤其是几年来在市场需求的推动下，关键技术不断取得突破。对于用户关注的CMOS的照度和噪点等问题，实际上可见光下CMOS的信噪比远高于CCD。一方面，随着国际CMOS大厂的不断改进，CMOS还继续在成像的通透性、对实物的色彩还原能力等方面迎头赶上。研发了感光度增强技术，进而通过使用大尺寸传感器提高开口率，这正是提高CMOS感光能力的直接办法。即便是在噪音控制方面，有公司将专门的噪声检测算法直接整合于CMOS图像传感器的控制逻辑中。通过这项技术，固定噪声就可以成功剔除了。更何况CMOS的价格远低于CCD设备。另一方面，在ISP中采用多种技术革新，如去噪技术来提升CMOS的噪点问题。索尼公司开发的IMX226CQJ具有大约12.40万像素和背光CMOS传感器Starvis技术。
DescriptionSonydevelopedIMX226CQJwithapproximately12.40Mpixelsandtheback-illuminatedCMOSensorStarvistechnology.Itsupports1/2typeand4Kvideoimaging(approximately17:9ratio).TheIMX226CQJisacolorCMOSsensorwithadiagonalof9.33mm(type1/1.7)withapixelsizeof1.85μmsquareand12.4MPeffectiveresolution.TheIMX226CQJhasaserialLVDSoutput,andachieveshigh-speedimagingwithamaximumframerateof40fpsatfullresolution.。。图像传感器功能:为每个单位单元具有放大器，其特征在于，可以抑制由于读取转换为光的光信号产生的电噪声。北京安防摄像图像传感器下载文档
CMOS传感器的制造成本远低于CCD传感器。北京安防摄像图像传感器下载文档
为了克服这些技术挑战，采用了一种新的方法，将像素部分和信号处理电路部分分别形成在两个单独的硅基板上，并且将两个硅基板高精度对准和键合，并在多个点进行电连接(日本专利号5773379TakuUmebayashi,HiroshiTakahashi,ReijiroShoji)。其结果是，在像素部分正下方确保了宽广的信号处理区域，同时实现了小型化和多功能化，而不会损害背照式CMOS图像传感器已经拥有的高质量性能。“一层”硅半导体器件改为“二层”。该技术作为堆叠式多功能CMOS图像传感器在世界上初始实现量产和商业化。北京安防摄像图像传感器下载文档
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