安防领域——红外光成像红外线摄影术以成像为目标。伴随着电子与化学科技的进展，红外线摄像技术逐渐演化出三个方向。1.近红外线底片：感应范围为波长700nm～900nm。在成像乳剂中加入特殊染料，利用光化学反应，使这一波域的光变化转为化学变化从而形成影像。2.近红外线电子感光材料：感应范围为波长700nm～2,000nm。利用含硅化合物晶体的光电反应形成电子信号，进过进一步处产生影像。3.中、远红外线线感应材料：感应范围为波长3,000nm～14,000nm。需要使用冷却技术和特殊的光学感应器，加工处理形成电子影像。优化集光特性，比较大限度地提高背照结构的集光效率。上海原装进口图像传感器datasheet
有利入射角特性及f数相关性优化集光特性，比较大限度地提高背照结构的集光效率。因此，它在入射光角度特性(见图1)和f数依赖(见图2)方面比现有的前照结构2.8um单位像素的IMX136LQJ*2获得了更好的条件。这些特性对于在夜间拍摄时经常打开镜头的安防摄像机来说是非常重要的。在较低的f(光圈)数下，IMX136LQJ的低光性能可能比2.8um单位像素的前置照明结构更好。(见照片3)。此外，这种量级的光学特性意味着传感器可以处理高功率变焦镜头。北京安防摄像图像传感器高清高速CMOS图像传感器适合用于机器视觉、安防监控、智能交通、生命科学、生物医疗等领域。
为了克服这些技术挑战，采用了一种新的方法，将像素部分和信号处理电路部分分别形成在两个单独的硅基板上，并且将两个硅基板高精度对准和键合，并在多个点进行电连接(日本专利号5773379TakuUmebayashi,HiroshiTakahashi,ReijiroShoji)。其结果是，在像素部分正下方确保了宽广的信号处理区域，同时实现了小型化和多功能化，而不会损害背照式CMOS图像传感器已经拥有的高质量性能。“一层”硅半导体器件改为“二层”。该技术作为堆叠式多功能CMOS图像传感器在世界上初始实现量产和商业化。
图像传感器（CIS）：摄像头模组的中心部件，光线通过镜头进入摄像头模组后，在CIS上成像，CIS将光信号转变为电信号，目前的智能手机上几乎全部使用的都是CMOS技术的CIS。CMOS图像传感器产业链主要由上游的晶圆代工厂、封装企业及测试企业，中游的芯片设计企业和下游的模组厂商及终端客户组成。CIS设计厂商处于产业链的中心环节，其产品方案通过代工方式委托给晶圆代工厂、封装和测试企业进行芯片的制造、加色、封装和测试。测试合格的产品经物流中心统一发货给终端客户（智能手机厂商、安全监控设备制造商、医疗设备制造商等）。CMOS图像传感器是一种典型的固体成像传感器，与CCD有着共同的历史渊源。
2009年，维纳德•波利（WillardS.Boyle）和乔治•史密斯（GeorgeE.Smith）因为发明CCD（Charge-coupledDevice，电荷耦合元件，或称为CCD图像传感器）而获得了当年的诺贝尔物理学奖。诺贝尔奖委员会会长约瑟夫·诺德格伦（JosephNordgren）在宣布该奖项的新闻发布会上曾经说：“在当今社会的记录影像的方式完全基于CCD的研究。”“这项研究的实际意义是非常巨大的……它改变了我们的生活，不仅在科学领域，而且在整个社会领域......”医疗图像传感器可分为CCD， CIS，a-Si FPD，a-Se FPD，SiPM。CMV4000图像传感器参数
安森美半导体能够为汽车驾驶辅助提供业内的图像传感器和图像处理芯片。上海原装进口图像传感器datasheet
工业相机又俗称工业摄像机，相比于传统的民用相机（摄像机）而言，它具有高的图像稳定性、高传输能力和高抗干扰能力等，市面上工业相机大多是基于CCD（ChargeCoupledDevice）或CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）芯片的相机。CMOS图像传感器的开发比较早出现在20世纪70年代初，90年代初期，随着超大规模集成电路(VLSI)制造工艺技术的发展，CMOS图像传感器得到迅速发展。CMOS图像传感器将光敏元阵列、图像信号放大器、信号读取电路、模数转换电路、图像信号处理器及控制器集成在一块芯片上，还具有局部像素的编程随机访问的优点。CMOS图像传感器以其良好的集成性、低功耗、高速传输和宽动态范围等特点在高分辨率和高速场合得到了普遍的应用。上海原装进口图像传感器datasheet
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