成都中成药净化厂房设计

 洁净室控制：对气压规定对于大部分洁净空间，是为了防止外界污染侵入，需要保持内部的压力（静压）高于外部的压力（静压）。压力差的维持一般应符合以下原则：①洁净空间的压力要高于非洁净空间的压力。②洁净度级别高的空间的压力要高于相邻的洁净度级别低的空间的压力。压力差的维持依靠新风量，这个新风量要能补偿在这一压力差下从缝隙漏泄掉的风量。所以压力差的物理意义就是漏泄（或渗透）风量通过洁净室的各种缝隙时的阻力。厂房设计好的公司怎么选择？成都中成药净化厂房设计

安全防火制药工业厂房的安全防火要根据生产过程中使用、产生及存储的原料、中间品和成品的物理化学性质和数量及其火灾危险程度和生产过程的性质等情况来确定。对于化学合成原料药的生产厂房，其建筑物应采用一、二级耐火等级；对于原料药的结晶精制、干燥等工序以及制剂生产用洁净厂房，耐火等级要求不低于二级，建筑构配件耐火性能应与甲、乙类火灾危险等级相适宜。一般厂房安全出口不应少于2个；洁净厂房每一生产层或每一洁净区的安全出口数量，均不应少于2个，且应分散均匀布置；从生产地点至安全出口不得经过曲折的人员净化路线。厂房的地下室、半地下室的安全出口不应少于两个。地下室、半地下室如用防火墙隔成几个防火分区时，每个防火分区必须有一个直通室外的安全出口，并可利用防火墙上通向相邻分区的防火门作为第二安全出口。甲、乙、丙类厂房和高层厂房的疏散楼梯应采用封闭楼梯间，高度超过32m且每层人数超过10人的高层厂房宜采用防烟楼梯间或室外楼梯。洁净厂房同一层的外墙应设有通向洁净区的门窗或消防口，以方便消防人员的进入。重庆体外诊断试剂车间设计细胞工程厂房设计设计就找成都博一医药设计有限公司。

照明①一般照明它指不考虑特殊的局部需要，为照亮整个被照面积而设置的照明。②局部照明这是指为增加某一指定地点（如工作点）的照度而设置的照明。但在室内照明由一般不单独使用局部照明。③混合照明这是指工作面上的照度由一般照明和局部照明合成的照明，其中一般照明的照度按《洁净厂房设计规范》应占总照度的10%—15%，但不低干150LX。单位被照面积上接受的光通量即是照明单位勒克斯(LX)。国外洁净室的强度要求极高，例如美国关于洁净室的几个标准的要求是．人工光300lx有较好的效果，当工件精细程度更高时，500x也是允许的。对于要红灯照明的地方，如电子行业的光刻车间，其照度一般为(25—501x)，用天然光时可允许更高的照度，因而对工作是有利的，所以今后洁净室的照明既采用人工光也采用天然光可能是有前途的，这也是为了节能而出现的一种动向。

气流流型的设计应符合下列要求：1.气流流型应满足空气洁净度等级的要求。空气洁净度等级要求为1～4级2.时，应采用垂直单向流；空气洁净度要求为5级时，应采用垂直单向流或水平单向流。3.空气洁净度要求为6～9级时，宜采用非单向流。4.洁净室工作区的气流分布应均匀。5.洁净室工作区的气流流速应满足生产工艺要求。洁净室的送风量，应取下列三项中的最大值：1.为保证空气洁净度等级的送风量。2根据热、湿负荷计算确定的送风量。3.向洁净室内供给的新鲜空气量。4.为保证空气洁净度等级，送风量应按下表中有关数据进行计算或按室内发尘量进行计算。洁净车间设计认准成都博一医药设计有限公司。

人流路线应避免往复交叉。人员净化用室和生活用室的布置，宜按下页图的人员净化程序进行布置。根据不同的空气洁净度等级和工作人员数量，洁净厂房内人员净化用室和生活用室的建筑面积应合理确定。一般宜按洁净区设计人数平均每人2～4平方米计算。洁净工作服更衣室的空气洁净度等级宜按低于相邻洁净区空气洁净度等级1～2级设置。洁净工作服洗涤室的空气洁净度等级不宜低于8级。洁净室内设备和物料出入口，应根据设备和物料的性质、形状等特征设置物料净化用室及其设施。物料净化用室的布置，应防止净化后物料在传递过程中被污染。定制厂房设计口碑商家欢迎联系成都博一医药设计有限公司。重庆体外诊断试剂车间设计

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洁净室中的温湿度控制洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间温度不宜超过25度，湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以。相对湿度越高,粘附的越难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产比较好湿度范围为35—45%。成都中成药净化厂房设计

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