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闪烁体探测器是采用α闪烁物质和β闪烁物质复合闪烁体作为发光元件。由于α粒子的射程短,当粒子进入α闪烁物质时,将全部能量损失在ZnS(Ag)材料上,引起闪烁发光,光电倍增管产生α信号。β粒子由于穿透能力较强,β粒子穿过ZnS(Ag)材料进入β闪烁物质,产生闪烁光,进入光电倍增管产生β信号。PIPS探测器是半导体两端加反向电压,N区接正,P区接负,外加电场方向与内建电场方向相同,使耗尽层增厚,漂移运动增强。当带电粒子穿过时产生电子-空穴对,在高电场下分别向正负电极漂移,产生信号。信号幅度正比于电子空穴对数目,正比于入射粒子损失能量。
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LLB1000用到了闪烁体探测器和PIPS探测器。其中,闪烁体探测器是采用α闪烁物质和β闪烁物质复合闪烁体作为发光元件。由于α粒子的射程短,当粒子进入α闪烁物质时,将全部能量损失在ZnS(Ag)材料上,引起闪烁发光,光电倍增管产生α信号。β粒子由于穿透能力较强,β粒子穿过ZnS(Ag)材料进入β闪烁物质,产生闪烁光,进入光电倍增管产生β信号。PIPS探测器是半导体两端加反向电压,N区接正,P区接负,外加电场方向与内建电场方向相同,使耗尽层增厚,漂移运动增强。当带电粒子穿过时产生电子-空穴对,在高电场下分别向正负电极漂移,产生信号。信号幅度正比于电子空穴对数目,正比于入射粒子损失能量。四川国产低本底计数器常见问题