易维护真空烘箱维修维护

    橡胶的种类随着室温硫化胶料的增加和高温硫化的出现，硫化温度趋向两个极端。从提高硫化效率来说，应当认为硫化温度越高越好，但实际上不能无限提高硫化温度。橡胶为高分子聚合物，高温会使橡胶分子链产生裂解反应，导致交联键断裂，即出现“硫化返原”现象，从而使硫化胶的物理机械性能下降。综合考虑各橡胶的耐热性和“硫化返原”现象，各种橡胶建议的硫化温度如下：NR比较好在140-150℃，比较高不超过160℃；顺丁橡胶、异戊橡胶和氯丁橡胶比较好在150-160℃，比较高不超过170℃丁苯橡胶、丁腈橡胶可采用150℃以上，但比较高不超过190℃；丁基橡胶、三元乙丙橡胶一般选用160-180℃，比较高不超过200℃；硅橡胶、氟橡胶一般采用二段加硫，一段温度可选170-180℃，二段硫化则选用200-230℃，按工艺要求可在4-24h范围内选择。 定期检查轴套的磨损情况，磨损较大后应及时更换。易维护真空烘箱维修维护

    塑料制品的热处理是指将成型制品在一定温度下停留一段时间而消除内应力的方法。热处理是消除塑料制品内取向应力的比较好方法。对制件进行热处理，可以使高聚物分子由不平衡构象向平衡构象转变，使强迫冻结的处于稳定的高弹形变获得能量而进行热松弛，从而降低或基本消除内应力。常采用的热处理温高于制件使用温度10~20℃或低于热变形温度5~10℃。热处理时间取决于塑料种类、制厚度、热处理温度和注塑条件。一般厚度的制件，热处理1~2小时即可，随着制件厚度增热处理时间应适当延长。提高热处理温度和延长热处理时间具有相似的效果，但温度的效更明显些。热处理方法：1）是将制件放入水、甘油、矿物油、乙二醇和液体石蜡等液体介质中，2）放入空气循环烘箱中加热到指定温度，并在该温度下停留一定时间，然后缓慢冷却到室温。实验表明，脱模后的制件立即进行热处理，对降低内应力、改善制件性能的效果更明显。此外，提高模具温度，延长制件在模内冷却时间，脱模后进行保温处理都有类似热处理的作用。 易维护真空烘箱维修维护放气阀橡皮塞若旋转困难，可在内涂上适量油脂润滑。

维护保养：13、尽量控制真空泵的流量和扬程在标牌上注明的范围内，以保证真空泵在高效率点运转，才能获得大的节能效果。14、真空泵在运行过程中，轴承温度不能超过环境温度35C，高温度不得超过80C。15、如发现真空泵有异常声音应立即停车检查原因。16、真空泵要停止使用时，先关闭闸阀、压力表，然后停止电机。17、真空泵在工作一个月内，经100小时更换润滑油，以后每个500小时，换油一次。18、经常调整填料压盖，保证填料室内的滴漏情况正常（以成滴漏出为宜）。19、定期检查轴套的磨损情况，磨损较大后应及时更换。20、真空泵在寒冬季节使用时，停车后，需将泵体下部放水螺塞拧开将介质放净。防止冻裂。21、真空泵长期停用，需将泵全部拆开，擦干水分，将转动部位及结合处涂以油脂装好，妥善保管。

在真空条件下，溶剂沸点明显降低，箱内保持温度恒定。烘箱结构真空烘箱能在较低温度下获得较高的干燥速率，热量利用充足，主要合用于对热敏性物料和含有容剂及需回收溶剂物料的干燥。在干燥前可进行消毒办理，干燥过程中任何不纯物无混入，本干燥器属于静态真空干燥器，故干燥物料的形成不会破坏。加热方式有：蒸汽、热水、导热油、电热。真空烘箱专为干燥热敏性、易分解和易氧化物质而设计，能够向内部充入惰性气体，特别是一些成分复杂的物件也能进行快速干燥。能够向内部充入惰性气体，特别是一些成分复杂的物品也能进行快速干燥。

橡胶配方中硫化体系的类型按照制品不同性能的要求，橡胶配方选用不同的硫化体系。通常，普通硫磺硫化体系，其硫化温度选取范围为130-160℃，具体需要根据所使用的促进剂的活性温度和制品的物理机械性能来确定。有效、半有效硫化体系，硫化温度一般掌握在160-165℃之间，过氧化物及树脂等非硫磺硫化体系，硫化温度适合选择170-180℃.3.橡胶制品的结构橡胶属于热的不良导体，受热升温较慢。对于夹织物的橡胶制品，通常硫化温度不高于140℃.而发泡橡胶，需要按照发泡剂和发泡助剂的分解温度选择适宜的硫化温度。工作室采用不锈钢钢板。丽水无尘埃破坏真空烘箱监控系统

真空箱应在相对湿度≤85%RH，周围无腐蚀性气体、无强烈震动源及强电磁场存在的环境中使用。易维护真空烘箱维修维护

    为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性，通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤，在真空或干燥氮气的机台中，以150～200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分，在此温度下，晶片表面大约保留了一个单分子层的水。涂胶后，晶片须经过一次烘烤，称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常，软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高，但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定，典型的软烘温度是90～100℃，时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。在晶片显影后，为了后面的高能工艺，如离子注入和等离子体刻蚀，也须对晶片进行高温烘烤，称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于：减少驻波效应；激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。 易维护真空烘箱维修维护