烘箱在电子行业的应用:组件,预热,烘烤,干燥,热分解,固化,退火,回流焊接。数据存储:对录音磁头以及铝制和玻璃磁盘介质磁头以及铝制和玻璃磁盘介质。光纤:黏合剂粘合与固化,Telcordia测试与预烧。半导体组装/圆片级包装:密封剂、BCB,CMOS光学和底胶固化传感器处理,芯片黏着和BGA,B阶黏着剂固化,稳定性测试,配向膜烘烤,预烧和测试,热冲击。半导体前端:磁性退火,圆片级预烧,金属薄膜退火,配向膜烘烤,光阻固化,稳定性测试。依据真空泵的性能,抽到压力表为真空泵的极限值为准;温州快速干燥真空烘箱PID调节
真空烘箱有以下特点:短加热时间,与传统干燥烘箱比加热时间减少50%以上。真空烘箱因为是由电力提供热能,而湿的物品是会导电的,故在使用上宜小心不要有漏电的现象发生,故一般烘箱都要接地使用,以保安全。若没有地线也要确认烘箱没有漏电的现象;若有轻微的漏电现象,可试着将插座拔起后将插脚以相反方向再插入,若没有漏电现象可小心使用,若仍有漏电现象则应立即停用。广泛应用于医药,冶金,电子五金,食品,化工,PCB烘烤等等行业。宁波进口数显真空烘箱箱内高真空度可设定温度、测定温度。
高温真空烘箱主要是针对各种电子、塑胶、金属.....耐高温性能测试。用于干燥、烘烤、预热各种材料或试片。采用特殊设计之强制循环送风系统,可靠保证工作温度分布均匀度。性能特点箱体结构:整机结构为一体式;真空泵安装:真空泵安装于机器下部面板安装:控制面板安装于机台下方开门方式:单门由右至左开启;可视窗:门上带可视窗,规格W200*H250mm安装带刹车活动脚轮,可任意推动温度控制为PID数显仪表(台**松仪表EM705),单点式控温,可自动演算,PV/SV同时显示,按键设定定时器设定:1秒-9999时(可选择设定小时、分钟、秒)温到计时,时间到停止加热,同时报警提示300度高温真空烘箱技术参数型号:GT-TK-125温度范围:常温+20℃~+300℃内尺寸:500(宽)×500(深)×500(高)mm;(单箱式)外尺寸约:800(宽)×820(深)×1420(高)mm+110轮高,以实物为准内材质为:304#不锈钢板外材质为:冷轧钢板保温材质为:耐高温岩棉,保温效果好控制精度:±℃;显示精度:℃;温度过冲:≤3℃真空感应器为:压力感应;真空度使用范围:真空保压泄漏率:约;真空控制方式为,自动控制,达到上限停止,低于下限启动,循环工作300度高温真空烘箱使用说明超温保护系统:温度失控时。
本实用新型的工作原理:首先将不同热量需求的原料放置在相应的支撑板13上,然后将热水源与每一个进水管6以及出水管8相连通,热水同时从每一个进水管6进入到每一层对应的导流管10内,并对支撑板13上的原料进行烘干,每一个导流管10内的热水经对应的出水管8流出,并回到热水源中进行加热以便再次循环使用。本实用新型的有益效果:(1)本实用新型结构简单,操作方便,可对不同原料进行加热烘干,烘干效果好、烘干效率高、适用范围广。(2)本实用新型中每一个进水管6与上层对应导流管10之间、上下相邻两个导流管10之间、下层每一个导流管10与对应出水管8之间均采用螺纹式快速连接,操作简单,使用方便,连接牢靠,保证了其内热水的稳定流动,从而提高了烘干效率。(3)本实用新型在每一个进水管6、出水管8以及导流管10内均沿其长度方向错位竖直设有上隔板11和下隔板12,用于降低热水的流速,从而提高了烘干效果。真空烘箱能在较低温度下得到较高的干燥速率,热量利用充分。
真空干燥箱日常使用和维护:1、产品出厂前都经过严格的测试,一般不要进行修改,如使用时的环境恶劣,环境温度超出适宜范围,会引起温度显示值与箱内实际温度误差,如超出技术指标范围的,可以参照温度控制器操作说明按所需进行修正。2、仪器在正常工作状态下,如打开箱门时间过长,关上箱门后即使箱内温度有些变动,这也是正常现象。3、除维修外,不能拆开左侧箱体盖以免损坏电器控制系统。4、放气阀橡皮塞若旋转困难,可在内涂上适量油脂润滑。5、真空泵不能长时期工作,因此真空度达到干燥物品要求时,应先封闭真空阀,再封闭真空泵电源,待真空度小于干燥物品要求时,再打开真空阀及真空泵电源,继续抽真空,这样可延长真空泵使用寿命。6、干燥的物品如湿润,则在真空箱与真空泵之间比较好加进过滤器,防止湿润气体抽进真空泵,造成真空泵故障。7、真空干燥箱经多次使用后,会产生不能抽真空的现象,此时应更换门封条或调整箱体上的门扣伸出间隔来解决。真空箱干燥温度高于200度时,有可能会产生慢漏气现象,此时拆开箱体背后盖板用内六角板手拧松加热器底座,调换密封圈或拧紧加热器底座来解决。8、真空干燥箱应经常保持清洁。箱门玻璃切忌用有反应的化学溶液擦拭。 防止潮湿气体进入真空泵,造成真空泵故障。温州快速干燥真空烘箱PID调节
真空泵不能长时期工作。温州快速干燥真空烘箱PID调节
为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性,通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤,在真空或干燥氮气的机台中,以150~200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分,在此温度下,晶片表面大约保留了一个单分子层的水。涂胶后,晶片须经过一次烘烤,称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常,软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高,但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定,典型的软烘温度是90~100℃,时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。在晶片显影后,为了后面的高能工艺,如离子注入和等离子体刻蚀,也须对晶片进行高温烘烤,称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于:减少驻波效应;激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。 温州快速干燥真空烘箱PID调节
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