广州全自动场效应管供应

腻流畅的磁性声，弹性十足震撼人心的低频轰炸声，别有一番霸道气势。在一般的设计中场效应管特长没有得到充分发挥，甚至认为声音偏冷、偏暗，其实这不是场效应管的原因。其声音不好，一方面是人们使用它直接代换晶体管，晶体管的线路是不能发挥出场效应管的特性的；另一方面，这些电路通常使用AB类的偏置。根据场效应管转移特性，在低偏置时具有严重的非线性，带来严重的失真，解决的办法是让其工作在A类状态，特别是单端A类，瞬态特性较好，音质纯美，偶次谐波丰富，音色悦耳动听，更具有电子管的醇美音色。 场效应晶体管的一个常见用途是用作放大器。广州全自动场效应管供应

用测电阻法判别场效应管的好坏：测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 上海P沟道场效应管供应商场效应晶体管可以由各种半导体制成。

场效应管电阻法测好坏:测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

栅极电压（UGs）对漏极电流（ID）的控制作用称为转移特性，反映这两者之间关系的曲线称为转移特性曲线。下图1-60所示为N沟道结型场效应管的转移特性曲线。当栅极电压UGs取不同的电压值时，漏极电流ID将随之改变。当ID=0时,UGS的值为场效应管的夹断电压Uq；当UGs=0时，ID的值为场效应管的饱和漏极电流Idss。在Ugs一定时，反映ID与Uds之间的关系曲线为输出特性曲线，也称为漏极特性曲线。上图1-61所示为N沟道结型场效应管的输出特性曲线。由图可见，它分为三个区：饱和区、击穿区和非饱和区。起放大作用时，应工作在饱和区（这一点与前面讲的普通三极管不同）。注意，此处的“饱和区”对应普通三极管的“放大区”。 场效应管因而被普遍用于大规模和超大规模集成电路中。

场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点，因此经常作为多级放大电流的输入级，与三极管一样，根据输入、输出回路公共端选择不同，将场效应管放电电路分为共源、公漏、共栅三种状态，如下图是场效应管共源放大电路，其中：Rg是栅极电阻，将Rs压降加至栅极；Rd是漏极电阻，将漏极电流转换成漏极电压，并影响放大倍数Au；Rs是源极电阻，为栅极提供偏压；C3是旁路电容，消除Rs对交流信号的衰减。由于场效应管是电压型控制器件，它的栅极几乎不取电流，输入阻抗非常高，其实要想获得较大恒流输出，并且精度提高可以采取基准源与比较器结合方法来获得所需要的效果。 场效应晶体管以电子或空穴中的一种作为载流子。金华加强型场效应管参数

场效应管高输入阻抗容易驱动，输入阻抗随频率的变化比较小 。广州全自动场效应管供应

场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和绝缘栅型场效应三极管FET之分。FET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。MOS场效应管有增强型（EnhancementMOS或EMOS）和耗尽型(MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极：D(Drain)称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate)称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source)称为源极，相当于双极型三极管的发射极。增强型MOS(EMOS)场效应管MOSFET根本上是一种左右对称的拓扑构造，它是在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底(substrat)，用符号B表示。工作原理1．沟道构成原理当Vgs=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压，不会在D、S间构成电流。当栅极加有电压时，若0＜Vgs＜Vgs(th)时（VGS(th)称为开启电压），经过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排挤。 广州全自动场效应管供应

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