同步整流场效应管性能

现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代结型场效应管，O代绝缘栅场效应管。第二位字母代材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法是CS××#，CS代场效应管，××以数字代型号的序号，#用字母代同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。场效应管的作用：场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以方便地用作恒流源。场效应管可以用作电子开关。 HIGFET (异质结构绝缘栅场效应晶体管)现在主要用于研究。同步整流场效应管性能

2N7002和2N7002K是一款带ESD防静电保护的场效应管，封装形式为SOT-23，深圳市盟科电子科技有限公司从2010年成立至今一直专注场效应管的研发、生产和应用。主要生产场效应管，三极管，二极管，可控硅，LDO等。质量可靠，且提供全程的售前售后服务。这款2N7002产品是N沟道增强型带静电保护MOS，ESD可达2000V，其电压BVDSS是大于60V，电流ID可达300mA，阻抗Rdon在VGS@10V档位下典型值为1欧姆，开启电压VGS(th)典型值在2-4V。本款产品包装为3000PCS，标准丝印为7002和02K，也可以支持ODM定制，交期大多在15天就可以产出。主要用于电脑主板，键盘鼠标等。 深圳P沟道场效应管推荐厂家漏极(D)，载流子通过漏极离开沟道。通常，在漏极处进入通道的电流由ID表示。

深圳市盟科电子科技有限公司座落于深圳市宝安区，成立于2010年，占地面积10000余平方米，是一家专业的半导体研发制造商。我司专注于半导体元器件的研发、生产、加工和销售。作为国家高新技术企业，凭借多年的经验和发展，现已达年产50亿只生产规模。我司主营场效应管，二极管，三极管，稳压电路，晶闸管，可控硅等半导体元器件，超过8种封装如：SOT-23，SOT-23-3L，SOT-23-5L，SOT-23-6L，TO-252，TO-251，SOT-89，SOT-223等。产品广泛应用于移动通信，计算机，电源，节能灯，玩具，仪器仪表，家用电器，工业自动化设备等领域，且可承接OEM/ODM定制。

用测电阻法判别场效应管的好坏：测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

场效应管电阻法测好坏:测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 场效应管高中低频能量分配适当， 解析力和定位感均有较好表现，具有良好的声场空间描绘能力 。惠州低功率场效应管厂家供应

场效应管场效应管更好的热稳定性，抗辐射性和较低噪声 。同步整流场效应管性能

场效应管与双极性晶体管的比较场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。 同步整流场效应管性能

深圳市盟科电子科技有限公司成立于2010-11-30，位于深圳市光明新区凤凰街道松白路4048号塘尾社区宝塘工业区A1、A2栋厂房，公司自成立以来通过规范化运营和高质量服务，赢得了客户及社会的一致认可和好评。公司主要产品有MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器等，公司工程技术人员、行政管理人员、产品制造及售后服务人员均有多年行业经验。并与上下游企业保持密切的合作关系。盟科,MENGKE致力于开拓国内市场，与电子元器件行业内企业建立长期稳定的伙伴关系，公司以产品质量及良好的售后服务，获得客户及业内的一致好评。我们本着客户满意的原则为客户提供MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器产品售前服务，为客户提供周到的售后服务。价格低廉优惠，服务周到，欢迎您的来电！