等离子氧化铝陶瓷处理方法

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在半导体刻蚀设备中，随着大规模集成电路集成度的不断提高以及半导体特征尺寸不断缩少，等离子体刻蚀技术面临了许多新的挑战，例如等离子刻蚀晶圆带来的污染问题、刻蚀工艺的稳定性、刻蚀技术的应用范围等。刻蚀机腔室材料作为晶圆污染的主要来源，等离子刻蚀对其影响程度决定了晶圆的良率、质量、刻蚀工艺的稳定性等等。因此，研究和开发出一种极其耐刻蚀腔体材料成为半导体集成产业以及等离子刻蚀技术中一项极具挑战的任务。当前，主要采用高纯Al2O3涂层或Al2O3陶瓷作为刻蚀腔体和腔体内部件的防护材料。除了腔体以外，等离子体设备的气体喷嘴，气体分配盘和固定晶圆的固定环等也需用到氧化铝陶瓷。等离子氧化铝陶瓷处理方法